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还在为寻找一款高效、可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXMP6A17N8TC就是您期待的答案。这颗由Diodes Incorporated打造的MOSFET，拥有60V的漏源电压和2.7A的连续电流能力，能轻松胜任各种电源管理和负载开关任务。其低至125毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接让您的产品能效更高、运行更冷静。

它采用紧凑的8-SO表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设计。无论是用于便携设备、工业控制还是汽车电子领域，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都确保了极致的环境适应性。选择ZXMP6A17N8TC，就是选择了一份经过验证的稳定与高效，让您的电路设计更加得心应手。

• 型号:ZXMP6A17N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMP6A17N8TC，Diodes产品一站式供应商。