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还在为复杂的双路负载控制电路占用过多空间而头疼吗？ZXMP6A18DN8TA双P沟道MOSFET阵列，正是您简化设计、提升效率的得力助手。它集成了两个高性能的P沟道MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松驾驭高达60V电压、3.7A电流的双路开关任务。

这颗芯片的核心价值在于让您的控制更高效、更直接。其逻辑电平门驱动特性，意味着您可以直接用微控制器的GPIO口来驱动它，无需额外电路，大幅简化了设计流程。同时，低至55毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，确保了极低的开关损耗和快速的响应速度，让您的系统运行更节能、反应更迅捷。

无论是用于电源路径管理、电机控制还是信号切换，ZXMP6A18DN8TA都能以其紧凑的8-SOIC封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），为您的产品提供稳定可靠的核心动力，助您轻松应对各种应用挑战。

• 型号:ZXMP6A18DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1580pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP6A18DN8TA，Diodes产品一站式供应商。