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还在寻找一颗能扛起大梁又省心省电的P沟道MOSFET吗？ZXMP6A18KTC就是您的理想答案！它专为高效电源切换和功率管理而设计，凭借60V/6.8A的强劲规格，能轻松驾驭从消费电子到工业设备的多种应用，让您的产品动力十足又冷静非凡。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。其极低的导通电阻（仅55mΩ）能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更长的续航、更低的温升和更小的散热设计压力。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更加流畅高效。

采用坚固的TO-252-3封装和宽广的工作温度范围，ZXMP6A18KTC为您提供了高可靠性的保障。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且值得信赖的“心脏”，助您轻松打造出更具市场竞争力的优秀设计。

• 型号:ZXMP6A18KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1580 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMP6A18KTC，Diodes产品一站式供应商。