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还在为高压侧开关的效率与散热问题烦恼吗？ZXMP7A17GQTA P沟道MOSFET正是为您排忧解难的得力助手。它能轻松驾驭高达70V的电压和2.6A的电流，并以低至160毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗和发热，让您的电源管理设计更高效、更凉爽。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其优化的栅极驱动特性让您能用更简单的电路实现快速、干净的开关控制，从而提升系统响应速度并减少电磁干扰。无论是用于电机驱动、负载开关还是DC-DC转换，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:ZXMP7A17GQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMP7A17GQTA，Diodes产品一站式供应商。