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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXMP7A17GTA正是您期待的答案。它能轻松胜任高达70V电压、2.6A电流的开关任务，其核心优势在于超低的160毫欧导通电阻，这意味着在导通状态下，能量损耗被降至极低，直接为您带来更高的系统效率和更出色的热表现。

这颗芯片专为提升您的设计效率而生。优化的栅极特性让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，特别适合高频开关电源和电机驱动应用。采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，它能帮助您最大化利用PCB空间，同时确保在严苛的温度环境下稳定运行。选择ZXMP7A17GTA，就是选择了一种让电源管理更高效、更可靠、更简洁的设计路径。

• 型号:ZXMP7A17GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMP7A17GTA，Diodes产品一站式供应商。