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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXMP7A17KTC正是为您而来的解决方案。它集70V耐压、3.8A持续电流能力于一身，却能将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的160毫欧，这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源电路运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能轻松胜任各种负载开关、电源路径管理和电机控制等关键任务。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关切换，让您的系统响应更迅捷。采用坚固的TO-252-3封装，它为您提供了出色的功率耗散能力（2.11W），并支持-55°C至150°C的宽广工作结温，无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费电子设备，都能稳定可靠地工作，是您提升产品性能和可靠性的得力助手。

• 型号:ZXMP7A17KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMP7A17KTC，Diodes产品一站式供应商。