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您是否渴望一颗能同时驾驭中等功率开关与放大任务，且占用空间极小的芯片？ZXTDA1M832TA正是为您而来的答案。这颗来自Diodes Incorporated的双极性晶体管阵列，将高性能的NPN和PNP晶体管集成于微小的8-VDFN封装内，让您轻松实现紧凑而强大的电路设计。

它能为您做什么？它让您能够高效地驱动电机、控制负载开关或进行信号放大。凭借4.5A/4A的强劲电流处理能力、低至280mV的饱和压降以及超过100MHz的切换速度，它确保您的应用响应迅速、损耗更低。其宽达-55°C至150°C的工作温度范围，更赋予了产品在严苛环境下稳定运行的底气。

选择ZXTDA1M832TA，就是选择用一颗芯片简化整个驱动模块，节省宝贵的PCB面积，同时获得卓越的电气性能和可靠性，让您的产品设计事半功倍。

• 型号:ZXTDA1M832TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MLP（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
• 描述:TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:1 NPN，1 PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4.5A，4A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V，12V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:25nA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V
• 功率 - 最大值:1W
• 频率 - 跃迁:120MHz，110MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（3x2）
• ZXTDA1M832TA，Diodes产品一站式供应商。