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ZXTN2011GTA 零件图片(仅供参考)

ZXTN2011GTA
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ZXTN2011GTA 规格参数

还在为开关电源或电机驱动电路中的功率损耗和散热问题头疼吗?ZXTN2011GTA NPN晶体管正是为您而来的高效解决方案。它能轻松处理高达6A的持续电流和100V的电压,并以极低的220mV饱和压降,显著减少导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么?它让您在高频开关应用(如DC-DC转换器)中实现干净利落的快速切换,其130MHz的跃迁频率和稳定的性能,确保响应迅捷无误。同时,宽广的-55°C至150°C工作温度范围和紧凑的SOT223封装,让您的设计既能应对严苛环境,又能保持板卡布局的简洁与高效。

  • 型号:ZXTN2011GTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-223-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):220mV @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:3 W
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SOT-223-3
  • ZXTN2011GTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXTN2011GTA 基本参数:

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