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还在寻找一颗能精准锁定电压、为电路核心提供稳定保护的“定海神针”吗？1N5239B-T齐纳二极管正是您理想的解决方案。它能够将电压稳定在9.1V，容差仅为±5%，为您构建一个可靠的电压基准或吸收有害的电压浪涌，让您的设计免受电压波动干扰。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现电路保护与电压钳位。其10欧姆的最大动态阻抗和低至3A的反向泄漏电流，意味着它在稳压时自身损耗极小，工作高效而安静。无论是用于电源稳压、信号电平转换，还是作为精密参考源，它都能凭借从-65°C到200°C的宽温工作能力，确保您的设备在各种严苛环境下稳定运行。

• 型号:1N5239B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):10 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 7 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5239B-T，Diodes产品一站式供应商。