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1N5252B-T 零件图片(仅供参考)

1N5252B-T
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1N5252B-T 规格参数

还在寻找一颗能精准锁定24V电压的可靠核心吗?1N5252B-T齐纳二极管正是为您而来!它如同电路中的“电压锚点”,能将电压稳稳地控制在24V(±5%精度),有效防止过压损坏,为您的敏感元器件筑起一道安全防线。

这颗芯片能让您的设计更从容。其500mW的功率裕量和仅33欧姆的最大动态阻抗,意味着它能在高效稳压的同时保持低自身损耗,提升系统整体能效。从-65°C到200°C的极端温度下都能稳定工作,让您的产品无惧严苛环境挑战。无论是用作电压基准、稳压,还是简单的过压保护,它都能让您轻松实现高效、可靠的电平管理。

  • 型号:1N5252B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5252B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5252B-T 基本参数:

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