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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的电源开关吗？DMS2120LFWB-7正是您理想的答案。这颗P沟道MOSFET能为您轻松实现高效的负载切换和电源路径管理，其仅95毫欧的低导通电阻能显著降低功率损耗，让您的便携设备续航更持久。

它集成了肖特基二极管，简化了您的电路设计，节省宝贵的PCB空间。高达2.9A的连续电流处理能力和宽广的工作温度范围，确保您的应用从消费电子到工业控制都能稳定运行。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的轻松方式。

• 型号:DMS2120LFWB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-DFN3020B（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:632 pF @ 10 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN3020B（3x2）
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• DMS2120LFWB-7，Diodes产品一站式供应商。