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您正在寻找一颗能精准锁定36V电压，并为电路提供坚实保护的核心元件吗？1N5258B-T齐纳二极管正是为您而来。它能在您的设计中扮演电压基准源或瞬态电压抑制器的关键角色，以±5%的高精度和500mW的功率处理能力，确保后级电路获得稳定、洁净的电压，有效抵御意外浪涌的冲击。

这颗芯片能让您轻松应对从-65°C到200°C的严苛温度挑战，其极低的反向泄漏电流和正向压降特性，意味着它在执行保护任务时自身功耗极低，几乎不影响系统整体效率。无论是工业控制、电源管理还是通信接口保护，选择1N5258B-T，就是为您的产品注入一份可靠的保障，让高效稳定的运行成为常态。

• 型号:1N5258B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):36 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):70 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5258B-T，Diodes产品一站式供应商。