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还在寻找一颗能兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关吗？DMT10H010LK3-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和68.8A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅8.8毫欧），能大幅减少您电源或电机驱动系统中的导通损耗，直接提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为要求苛刻的应用而设计。其优化的开关特性（低栅极电荷）让高频开关变得轻松高效，非常适合服务器电源、工业变频器、大功率DC-DC转换器等场景。采用坚固的TO-252表面贴装封装，提供出色的散热性能和安装便利性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的功率核心。

• 型号:DMT10H010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H010LK3-13，Diodes产品一站式供应商。