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还在寻找一颗能精准锁定68V电压的可靠“定海神针”吗？1N5266B-T齐纳二极管正是为您而来。它核心的任务，就是为您提供高度稳定的电压基准和过压保护，将电压精准箝位在68V，容差控制在严格的±5%之内，让您的电路免受电压尖峰和波动的侵扰，确保核心模块始终工作在安全、稳定的电压环境下。

这颗芯片能轻松应对高达500mW的功耗，其低至230欧姆的动态阻抗和微安级的反向泄漏电流，意味着它在提供稳定保护的同时，对您系统的能效影响微乎其微。更令人放心的是，它拥有-65°C至200°C的极端工作温度范围，让您的产品无论是面对严寒还是酷热，都能保持一贯的可靠表现。选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:1N5266B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):68 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):230 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 52 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5266B-T，Diodes产品一站式供应商。