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您正在寻找一颗能同时兼顾高电流、低损耗与卓越可靠性的功率开关解决方案吗？DMN3007LSS-13正是为此而生！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达16A的连续电流承载能力，其核心魅力在于超低的7毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高效的能源转换和更低的系统发热。

它让您的电源设计变得前所未有的轻松。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率，还是驱动电机实现精准控制，其快速的开关特性（低栅极电荷）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），都能确保系统响应迅捷且稳定可靠。采用紧凑的8-SOP封装，它帮助您最大化利用电路板空间，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 制造商产品型号：DMN3007LSS-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：64.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2714pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOP
• DMN3007LSS-13，Diodes产品一站式供应商。