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2DB1188R-13 零件图片(仅供参考)

2DB1188R-13
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2DB1188R-13 规格参数

您是否希望为您的电路找到一颗既能处理高达2A的开关电流,又能保持快速响应和低损耗的“全能型”PNP晶体管?2DB1188R-13正是为此而生。它能让您轻松驾驭电源开关、电机控制或线性放大等应用,其优异的饱和压降特性显著减少功率损耗,提升整体能效。

这颗芯片集高电流能力、良好的直流增益与出色的高频性能于一身,配合SOT89-3封装优秀的散热特性,确保您在紧凑的设计中也能实现稳定可靠的1W功率输出。其宽广的工作温度范围让您的产品无惧环境挑战,从消费电子到工业设备,都能提供持久而强劲的性能支持。

  • 型号:2DB1188R-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):32 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:120MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 2DB1188R-13,Diodes产品一站式供应商。
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2DB1188R-13 基本参数:

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