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还在为功率转换效率难以提升而困扰吗？DMT6007LFG-7 N沟道MOSFET正是您期待的答案。它凭借仅6毫欧的超低导通电阻和高达15A的电流处理能力，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更紧凑的布局。

这颗芯片采用热性能优异的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，确保了出色的散热能力。其宽广的工作电压（60V）与温度范围（-55°C ~ 150°C），赋予它强大的环境适应性，无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费电子对可靠性的高要求，都能让您从容应对，高效推进项目落地。

• 型号:DMT6007LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6007LFG-7，Diodes产品一站式供应商。