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2DB1386Q-13 零件图片(仅供参考)

2DB1386Q-13
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2DB1386Q-13 规格参数

您正在寻找一颗能扛起电流重担、同时保持快速响应与低温升的PNP晶体管吗?2DB1386Q-13正是您的理想之选。它能轻松处理高达5A的持续电流,并以低至1V的饱和压降高效工作,显著减少功率损耗,让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片拥有20V的耐压能力和120的最小直流增益,确保信号放大稳定可靠。其100MHz的跃迁频率让开关动作干净利落,而宽广的-55°C至150°C工作温度范围,则赋予它应对各种苛刻环境挑战的底气。采用紧凑的SOT89-3表面贴装封装,它能帮助您最大化利用电路板空间,简化生产组装,是提升产品功率密度和可靠性的高效核心部件。

  • 型号:2DB1386Q-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):20 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 100mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值:1 W
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 2DB1386Q-13,Diodes产品一站式供应商。
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2DB1386Q-13 基本参数:

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