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2N7002-7-F-79 零件图片(仅供参考)

2N7002-7-F-79
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2N7002-7-F-79 规格参数

您正在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电路、高效完成开关任务的“得力干将”吗?2N7002-7-F-79正是这样一款经典之选。作为一款N沟道MOSFET,它的核心使命就是让您以极简的设计,实现对电路的通断控制,如同一个高速、精准的电子开关,响应您的每一个指令。

这颗芯片能为您做什么?它能以微小的SOT23-3封装,嵌入空间紧张的PCB,高效地执行负载切换、信号隔离和电源管理等功能。其稳定的性能让您无需担心开关过程中的意外损耗,确保系统核心部分获得纯净、受控的电力或信号。选择它,意味着您选择了一个久经沙场、验证无数的解决方案,让您的设计工作更加轻松高效,快速将创意转化为稳定可靠的产品。

  • 型号:2N7002-7-F-79
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 60V SOT23-3
  • 系列:*
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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2N7002-7-F-79 基本参数:

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