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还在为小信号切换和低功率驱动寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？2N7002-7正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任高达60V电压、115mA电流的开关任务，其低至5V的驱动门槛和出色的导通特性，让您的电路设计更简单，系统运行更高效。

它采用微型SOT-23-3封装，能无缝融入您紧凑的PCB布局，同时其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器的信号控制，2N7002-7都能让您以更低的功耗和更高的可靠性，轻松实现精准的电子开关功能。

• 型号:2N7002-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 2N7002-7，Diodes产品一站式供应商。