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还在寻找一颗能帮您大幅节省电路板空间的“多面手”吗？2N7002DWKX-13正是您的理想之选！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET阵列，采用超紧凑的SOT-363封装，却拥有高达60V的漏源电压耐受能力。它能轻松替代多个分立MOSFET，让您在信号切换、负载驱动等应用中，实现更高的集成度和更简洁的布局。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。它帮助您减少元器件数量，降低整体系统复杂性和成本，同时得益于阵列设计，还能提升电路的一致性。无论是开发便携设备还是嵌入式控制模块，选择2N7002DWKX-13，就是选择了一条通往更精巧、更稳健产品设计的捷径。

• 制造商产品型号：2N7002DWKX-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• FET功能：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• 功率-最大值：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 封装：-
• 2N7002DWKX-13，Diodes产品一站式供应商。