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还在寻找一颗能同时搞定高压驱动与信号放大的可靠芯片吗？ZDT605TC双NPN达林顿阵列正是您的理想之选。它集成了两个高性能晶体管，为您提供高达120V的击穿电压和1A的持续输出电流，让您轻松驱动继电器、电机、LED阵列等负载，而高达2000倍的电流增益意味着您能用微弱的控制信号撬动强大的功率输出。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223-8表面贴装封装，节省宝贵的电路板空间，其优异的饱和压降特性（仅1.5V @1A）更能帮助您提升系统能效。无论是工业控制、汽车电子还是家电应用，ZDT605TC都能以稳定的性能和广泛的温度适应性（-55°C ~ 150°C），成为您设计中值得信赖的功率开关与放大核心。

• 型号:ZDT605TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SM8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
• 描述:TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:2 NPN 达林顿（双）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 1mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:2000 @ 1A，5V
• 功率 - 最大值:2.75W
• 频率 - 跃迁:150MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-223-8
• 供应商器件封装:SM8
• ZDT605TC，Diodes产品一站式供应商。