我们为全球各个行业提供Diodes 2N7002T-13-G现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高效、紧凑开关方案的电路吗？2N7002T-13-G正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，拥有高达60V的漏源电压承受能力，并采用极致的SOT523封装，能轻松嵌入空间极度紧张的设计中，成为您电路中可靠的“微型指挥官”。

它的核心使命，就是让您以极简的方式，实现对电路的通断高效控制。无论是用于信号切换、负载驱动还是电源管理，它都能帮助您简化设计，提升系统可靠性。选择它，就是选择了一种让产品更小巧、更节能、更富竞争力的设计路径。

• 型号:2N7002T-13-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V SOT523
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• 2N7002T-13-G，Diodes产品一站式供应商。