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还在为高压小功率电路的开关器件选型而犹豫吗？DMN30H4D0LFDE-7正是为您量身打造的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有300V的高耐压和550mA的电流能力，能轻松胜任各类离线式电源、辅助电源以及电机驱动中的开关任务。

它的核心魅力在于高效与易驱动。仅需2.7V的低驱动电压即可开启，配合极低的栅极电荷和输入电容，让您的控制电路设计更简单，开关速度更快，从而显著降低整体系统的开关损耗和温升。采用先进的U-DFN2020-6封装，在提供优异散热性能的同时，极大节省了电路板空间，助力您实现产品的小型化与高密度设计。

选择DMN30H4D0LFDE-7，就是选择了一份可靠的性能保障。它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定运行。让它为您的高压开关应用注入高效、可靠的活力，轻松提升产品竞争力。

• 型号:DMN30H4D0LFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:187.3 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:630mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN30H4D0LFDE-7，Diodes产品一站式供应商。