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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？2N7002T-7-F就是您的高效空间管理大师！这颗采用超紧凑SOT-523封装的N沟道MOSFET，能在方寸之间为您提供高达60V的电压处理能力和115mA的开关电流。它让您轻松实现低电压信号对高电压负载的精准、高效控制，是电池供电设备、便携式电子产品以及各类空间受限应用的理想选择。

它的核心价值在于“小身材，大能耐”。仅需5V或10V的驱动电压，即可实现低导通电阻的稳定切换，显著降低开关损耗，提升您的系统能效。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保其在各种环境下都能可靠工作。无论是用于负载开关、电平转换，还是信号隔离，2N7002T-7-F都能以卓越的电气性能和极致的封装，助您简化设计，加速产品上市。

• 型号:2N7002T-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 2N7002T-7-F，Diodes产品一站式供应商。