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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？2N7002T-7就是为您解忧的答案。这颗微型N沟道MOSFET，封装仅有SOT-523大小，却能轻松处理高达60V的电压和115mA的电流，让您在方寸之间实现强大的信号切换与控制功能。

它专为低电压驱动场景优化，仅需5V栅极电压即可高效导通，导通电阻低至7.5欧姆，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。无论是用于便携设备的电源管理、传感器信号的路径选择，还是作为逻辑电平转换的桥梁，它都能让您的设计更简洁、运行更可靠。

选择它，意味着您选择了一种经久耐用的解决方案。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定性。尽管已停产，但其卓越的性能在延续性项目和追求高性价比的设计中依然闪耀着价值，是您实现精巧、高效电路设计的理想伙伴。

• 型号:2N7002T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 2N7002T-7，Diodes产品一站式供应商。