还在为电路板空间紧张而发愁吗?2N7002VAC-7正是为您量身打造的解决方案!这颗双N沟道MOSFET将两个高性能开关集成在微小的SOT-563封装内,让您轻松实现双路信号控制或负载驱动,瞬间释放宝贵的PCB空间。
它拥有60V的耐压和280mA的驱动能力,结合低至2.5V的开启阈值和优异的开关特性,能让您的设计在高效能与低功耗之间取得完美平衡。无论是用于便携设备的电源路径管理,还是通信接口的电平转换,它都能确保稳定、快速的响应,让您的产品运行更流畅、更可靠。
- 型号:2N7002VAC-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-563
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V
- 功率 - 最大值:150mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-563
- 2N7002VAC-7,Diodes产品一站式供应商。