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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压开关任务，同时保持电路简洁、成本优化的核心元件吗？BS107PSTOA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有120mA的连续漏极电流，其低至2.6V的驱动电压让您能够用微控制器或逻辑电平信号直接、高效地控制它，极大地简化了您的驱动电路设计。

它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅便于手工焊接和原型验证，也兼容成熟的自动化生产工艺。高达500mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种应用环境下都能稳定工作，为您的高压小信号切换、负载驱动或电源管理模块提供持久可靠的核心动力。

• 型号:BS107PSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• BS107PSTOA，Diodes产品一站式供应商。