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还在为寻找一颗既能节省空间又能提升效率的功率开关解决方案而四处寻觅吗？DMC3025LNS-7正是您期待的答案。这颗集成了N和P沟道MOSFET的汽车级芯片，以其仅25/28毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它为您轻松驾驭高达30V电压和7.2A电流的应用，无论是电机驱动、负载开关还是电源路径管理，都能提供快速、可靠的响应。其紧凑的PowerDI333封装，让您在追求高功率密度的设计中游刃有余，大幅优化PCB布局。

凭借AEC-Q101认证和宽广的工作温度范围，它赋予您的产品从消费电子到汽车应用所需的坚固可靠性。选择DMC3025LNS-7，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的智能动力核心。

• 型号:DMC3025LNS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta），6.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3025LNS-7，Diodes产品一站式供应商。