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您正在寻找一颗能轻松担当电路“高效开关”角色的核心器件吗？BS170P N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能让您用简单的微控制器信号，可靠地控制高达60V电压、270mA电流的负载通断，无论是驱动继电器、小型电机还是LED灯组，都游刃有余。

这颗芯片采用经典的TO-92封装，便于您进行原型制作与生产。其低至10V的驱动电压和优化的导通特性，让您的设计更高效、更节能。选择BS170P，就是为您的项目注入一份经市场验证的稳定与可靠。

• 型号:BS170P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• BS170P，Diodes产品一站式供应商。