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您正在设计需要高效、紧凑电源管理的方案吗？BSN20-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有50V的漏源电压和500mA的连续电流能力，能轻松担当起电路中的关键开关角色。

它凭借低至1.8欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，让您实现高效的能量转换与快速的开关响应，显著减少功率损耗和发热。采用微小的SOT-23封装，它能完美融入空间受限的便携式设备、智能传感器或消费电子产品中，帮助您打造更节能、更可靠、更具竞争力的设计。

• 型号:BSN20-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSN20-7，Diodes产品一站式供应商。