我们为全球各个行业提供Diodes BSS138K-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致紧凑与高效的设计中，您是否渴望一颗能轻松驾驭信号切换与负载控制的“全能选手”？BSS138K-7正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有50V的漏源电压和310mA的连续漏极电流，让您能自信地将其应用于各种低压控制与驱动场景，无论是切换传感器信号还是管理小型负载，都游刃有余。

它的魅力在于极致的易用性与高效能。仅需10V的驱动电压即可实现低至3.5欧姆的导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，能显著提升电路的响应效率，特别适合需要高频开关的应用。采用标准的SOT-23封装，让您能轻松布局，最大化节省宝贵的PCB空间。

• 型号:BSS138K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:380mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS138K-7，Diodes产品一站式供应商。