还在为寻找一款高效、可靠的P沟道MOSFET而烦恼吗?让DMP6250SE-13来为您排忧解难!这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET,拥有60V的耐压和2.1A的持续电流能力,能轻松胜任您的电源开关、负载管理或电机驱动任务。
它的核心魅力在于高效与稳定。仅需4.5V至10V的驱动电压,配合低至250毫欧的导通电阻,能显著降低开关损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更节能。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和出色的散热设计(功率耗散高达14W),确保了在各种严苛环境下都能稳定工作,极大提升了您产品的耐用性和可靠性。
- 型号:DMP6250SE-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-223-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 1A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):9.7 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):551 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.8W(Ta),14W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223-3
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- DMP6250SE-13,Diodes产品一站式供应商。