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您是否在寻找一颗能轻松驾驭低电压、小电流开关任务的“全能选手”？BSS138W-7-F正是这样一颗专为高效空间利用而生的N沟道MOSFET。它能让您在紧凑的SOT-323封装内，获得高达50V的耐压和200mA的驱动能力，完美胜任便携设备、传感器接口和信号切换等应用。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。极低的导通电阻意味着更小的功率损耗和更低的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，其与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的良好兼容性，让您无需复杂的电平转换电路，即可实现高效、可靠的开关控制，大幅简化设计流程，加速产品上市。

• 型号:BSS138W-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• BSS138W-7-F，Diodes产品一站式供应商。