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BZT52C10LP-7 零件图片(仅供参考)

BZT52C10LP-7
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BZT52C10LP-7 规格参数

还在寻找一款能在微小空间内提供卓越电压基准和保护的解决方案吗?BZT52C10LP-7正是为您而来的答案。这颗超小型齐纳二极管,让您能在极致的0402封装内,轻松获得稳定的10V电压基准和高效的箝位保护,完美适配您的可穿戴设备、IoT模块等对空间有严苛要求的设计。

它凭借250mW的功率处理能力和低至20欧姆的动态阻抗,确保您的电路运行高效且稳定。宽广的-65°C至150°C工作温度范围,更让您的产品无惧环境挑战,可靠性大幅提升。选择它,就是选择了一种让设计更紧凑、性能更卓越的轻松方式。

  • 型号:BZT52C10LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 10V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C10LP-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZT52C10LP-7 基本参数:

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