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还在为电路中的小功率开关选型犹豫不决吗？让DMN63D8L-13来为您轻松解决！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，是专为高效、紧凑型应用而生的开关利器。

它能让您仅用极低的电压（驱动门槛仅1.5V）就能精准控制高达350mA的电流通断，显著简化您的驱动电路设计。其优异的导通电阻特性（最大2.8欧姆@10V）确保了能量传输过程中的损耗极小，直接帮助您提升终端产品的整体能效和电池续航。无论是用于便携设备的电源管理、信号路径切换，还是作为 GPIO 口的功率扩展，它都能稳定可靠地工作。

选择它，意味着您同时获得了快速的开关响应、出色的热性能（支持-55°C至150°C结温）以及SOT-23-3封装带来的极致空间节省。让DMN63D8L-13成为您下一个设计项目中高效又省心的选择吧！

• 型号:DMN63D8L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN63D8L-13，Diodes产品一站式供应商。