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BZT52C9V1LPQ-7 零件图片(仅供参考)

BZT52C9V1LPQ-7
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BZT52C9V1LPQ-7 规格参数

还在寻找一颗能兼顾极致尺寸与可靠性能的9.1V稳压保护器件吗?BZT52C9V1LPQ-7正是您的理想答案。这颗微型齐纳二极管,能为您在紧凑的电路板上提供精准的电压基准和有效的瞬态电压抑制,轻松守护您的核心IC。

它凭借仅0402的微型封装、250mW的功率处理能力和宽广的工作温度范围,让您在设计超薄手机、TWS耳机、可穿戴设备或物联网传感器时,能大幅节省PCB空间,同时确保系统在各种环境下稳定运行。选择它,就是选择了一种更高效、更可靠的设计路径。

  • 型号:BZT52C9V1LPQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 9.1V 250MW 2DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • BZT52C9V1LPQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZT52C9V1LPQ-7 基本参数:

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