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BZT585B10T-7 零件图片(仅供参考)

BZT585B10T-7
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BZT585B10T-7 规格参数

想象一下,您的电路板需要一个既精准又坚固的“电压锚点”,BZT585B10T-7正是为此而生。这颗10V齐纳二极管能为您提供高达±2%精度的稳压基准,让您的敏感电路免受电压漂移的干扰,确保信号纯净、逻辑准确。

它不仅能稳定电压,更能主动防护。凭借350mW的功率处理能力和仅10欧姆的动态阻抗,它能高效吸收意外的电压尖峰和浪涌,为您的后端贵重芯片构筑安全屏障。其超低的反向泄漏电流和宽广的工作温度范围,让您轻松应对高低温挑战与低功耗设计要求,是提升产品可靠性与能效的得力助手。

  • 型号:BZT585B10T-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 10V 350MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • BZT585B10T-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZT585B10T-7 基本参数:

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