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BZX84C51Q-13-F 零件图片(仅供参考)

BZX84C51Q-13-F
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BZX84C51Q-13-F 规格参数

还在为电路中的电压基准不够精准而烦恼吗?BZX84C51Q-13-F齐纳二极管专为解决这一问题而生。它能为您提供精确的51V电压钳位,容差控制在±5.88%以内,让您的参考电压源或过压保护电路达到专业级的稳定水准。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。其180欧姆的最大动态阻抗和低至100nA的反向泄漏特性,确保了高效、洁净的稳压性能。无论是用于消费电子还是工业设备,其SOT-23封装和宽广的工作温度范围(-65°C ~ 150°C),都能让您轻松集成,并赋予产品强大的环境适应能力。

  • 制造商产品型号:BZX84C51Q-13-F
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ZENER 51V 300MW SOT23
  • 系列:二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态:停产
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):51V
  • 容差:±5.88%
  • 功率-最大值:300mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):180 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 35.7V
  • 不同If时电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • BZX84C51Q-13-F,Diodes产品一站式供应商。
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BZX84C51Q-13-F 基本参数:

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