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D34V0H1U2LP-7B 零件图片(仅供参考)

D34V0H1U2LP-7B
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D34V0H1U2LP-7B 规格参数

还在为电路板上的电压浪涌问题头疼吗?D34V0H1U2LP-7B就是您期待的解决方案。这颗高效的瞬态电压抑制器,能瞬间吸收高达10A的峰值脉冲电流,将危险的过电压牢牢钳制住,让您的核心电路免受意外电压尖峰的侵害。

它采用紧凑的0402表面贴装封装,几乎不占用您的PCB空间,却能为您的34V电路系统提供坚实的保护屏障。无论是工业控制、汽车电子还是消费类产品,它都能让您的设计更稳健,大幅提升产品的可靠性和市场竞争力。选择它,就是为您的产品选择了一份安心的保障。

  • 型号:D34V0H1U2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 34VWM 58V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):34V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):35V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):58V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):10A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:580W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:44pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • D34V0H1U2LP-7B,Diodes产品一站式供应商。
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D34V0H1U2LP-7B 基本参数:

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