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您正在寻找一颗能同时征服高电流与高效率挑战的功率开关吗？DMT3003LFG-13正是为您而来的解决方案。这颗30V N沟道MOSFET拥有高达22A的连续漏极电流和低至3.2毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电机驱动、DC-DC转换或负载开关应用运行得更凉、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，散热性能优异，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保从-55°C到150°C的极端温度下稳定工作。其优化的栅极电荷特性让您能轻松实现快速开关，简化驱动设计。选择它，就是为您的产品注入了强劲且可靠的核心动力。

• 型号:DMT3003LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3003LFG-13，Diodes产品一站式供应商。