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D3V3S1B2LP-7B 零件图片(仅供参考)

D3V3S1B2LP-7B
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D3V3S1B2LP-7B 规格参数

还在为电路板上的敏感芯片提心吊胆吗?D3V3S1B2LP-7B就是您一直在寻找的“电路保镖”。这颗来自Diodes的通用保护TVS二极管,专为抵御静电放电(ESD)和电压瞬变而设计,能瞬间吸收高达50A的浪涌电流,将危险电压箝位在安全范围,让您的核心元器件高枕无忧。

它不仅仅提供保护,更致力于“隐形”守护。其118pF的超低电容特性,确保在保护高速数据线路(如USB、音频接口)时,不会对信号质量造成任何可察觉的衰减,让您的设备在安全的前提下,依然保持流畅迅捷的性能。采用微型表面贴装封装,它能轻松融入任何紧凑的设计中,从消费电子到工业设备,为您产品的可靠性增添一份坚实保障。

  • 型号:D3V3S1B2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3.3VWM 9.5V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):3.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):3.8V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):9.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):50A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:410W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:118pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • D3V3S1B2LP-7B,Diodes产品一站式供应商。
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D3V3S1B2LP-7B 基本参数:

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