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D58V0M4U8MR-13 零件图片(仅供参考)

D58V0M4U8MR-13
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D58V0M4U8MR-13 规格参数

还在为以太网端口的浪涌损坏而烦恼吗?D58V0M4U8MR-13正是您期待的解决方案。这颗TVS二极管能瞬间响应,将危险的过电压箝位在安全的100V以内,以高达2.7kW的峰值脉冲功率吸收能量,确保您的核心电路安然无恙。

它专为高速以太网设计,仅55pF的低电容特性让信号传输畅通无阻。紧凑的8-SOIC封装让您轻松布局,而宽广的工作温度范围则保障了它在各种环境下的稳定表现。选择它,就是为您的产品选择了可靠的静默守护者。

  • 型号:D58V0M4U8MR-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 58VWM 100VC 8-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:4
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):58V
  • 电压 - 击穿(最小值):64.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):100V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):24A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:2700W(2.7kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:以太网
  • 不同频率时电容:55pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • D58V0M4U8MR-13,Diodes产品一站式供应商。
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D58V0M4U8MR-13 基本参数:

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