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还在为电路板上宝贵的空间和复杂的保护设计而烦恼吗？让D6V3H1U2LP4-7B来为您化繁为简！这颗来自Diodes Incorporated的瞬态电压抑制二极管，专为守护您的精密电路而生。它能以高达30A的浪涌吸收能力，将危险的过电压瞬间“制服”，钳位在安全的12.5V以下，让您的核心芯片远离静电和浪涌的威胁。

更令人惊喜的是，它将这些强大的保护功能浓缩于微小的0402封装之中，几乎不占空间，却能让您的设计可靠性大幅跃升。其极低的电容特性，确保在保护高速数据线时几乎不影响信号完整性。选择它，就是为您的产品选择了一位高效、可靠且不占地方的“贴身保镖”，让您轻松应对各种严苛的应用环境。

• 型号:D6V3H1U2LP4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-2
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 6.3VWM X2DFN10062
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:6.3V（最大）
• 电压 - 击穿（最小值）:6.5V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:12.5V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:375W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:200pF @ 1MHz
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-2
• D6V3H1U2LP4-7B，Diodes产品一站式供应商。