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DDA114TH-7 零件图片(仅供参考)

DDA114TH-7
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DDA114TH-7 规格参数

还在为电路板上的空间和元件数量发愁吗?DDA114TH-7就是为您排忧解难的智能之选。这颗双PNP预偏置晶体管阵列,内部集成了基极电阻,让您无需外部分立电阻即可直接使用,极大简化了您的电路设计,节省了宝贵的PCB空间和物料成本。

它能让您轻松实现高效的信号放大、电平转换和负载开关控制。凭借50V的耐压、100mA的驱动能力以及低至300mV的饱和压降,它确保了信号处理的精准与高效,同时将功耗控制在极低水平。其SOT-563超小型封装,更是为您的便携式、高密度设计量身打造。

选择DDA114TH-7,就是选择了一个可靠、紧凑且即插即用的解决方案,让您的产品开发之旅更加顺畅高效。

  • 型号:DDA114TH-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-563
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-563
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 100A,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-563
  • DDA114TH-7,Diodes产品一站式供应商。
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DDA114TH-7 基本参数:

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