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还在手动为晶体管搭配偏置电阻，既占空间又增加不确定性？DDTA114YLP-7这颗预偏置PNP晶体管，为您一次性解决所有烦恼。它将必需的基极和发射极电阻（10kΩ和47kΩ）完美集成于芯片内部，让您轻松实现“即插即用”的电路设计，大幅简化布局，提升生产效率和电路一致性。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关和控制电路运行得更高效、更稳定。凭借高达50V的耐压和100mA的驱动能力，配合低至250mV的饱和压降，它能确保信号切换干净利落，能量损耗降至最低。无论是用于信号放大、逻辑电平转换，还是作为负载开关，它都能让您的系统响应更迅捷，运行更可靠。

其3-UFDFN超薄封装，专为空间敏感型应用优化，是智能便携设备、物联网模块等追求极致紧凑设计的理想选择。选择DDTA114YLP-7，就是选择了一种更智能、更省心的设计方式，让您专注于核心创新，将基础电路交给最可靠的伙伴。

• 型号:DDTA114YLP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 5mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:250 MHz
• 功率 - 最大值:250 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:3-UFDFN
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• DDTA114YLP-7，Diodes产品一站式供应商。