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还在为电路板上的分立晶体管和电阻的匹配调试而耗时费力吗？DDTA123TE-7-F为您提供了一站式解决方案。这颗由Diodes Incorporated精心打造的预偏置PNP晶体管，内部集成了2.2 kOhms的基极电阻，为您省去了外部偏置的烦恼，让您的设计从第一天起就建立在稳定、可靠的基础之上。

它能为您做什么？简而言之，就是让信号放大变得前所未有的轻松和高效。凭借100mA的集电极电流能力和50V的耐压，它足以驱动多种负载；其优异的直流增益（最小100 @ 1mA, 5V）和低饱和压降（仅300mV）确保了信号的清晰放大与能量的高效转换。无论是用于传感器接口、音频预处理还是逻辑电平转换，它都能出色完成任务。

采用超紧凑的SOT-523封装，它专为追求极致空间利用率的现代电子产品而生。选择它，您不仅获得了一颗高性能芯片，更是引入了一种简化设计、加速上市流程的智慧。立即采用，释放您设计中的无限潜能。

• 型号:DDTA123TE-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:仅 R1
• 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):-
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500A，5mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁:250 MHz
• 功率 - 最大值:150 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-523
• 供应商器件封装:SOT-523
• DDTA123TE-7-F，Diodes产品一站式供应商。