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还在为寻找一颗既能简化设计又能提升性能的功率开关而费神吗？ZXMC3A17DN8TA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N和P沟道MOSFET阵列，集成了逻辑电平门驱动功能，让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驱动，无需额外电路。其30V的耐压和最高4.1A的连续电流能力，足以应对大多数中低功率的开关与驱动任务。

它最吸引人的地方在于其极高的效率。极低的导通电阻（典型值50毫欧@10V）和栅极电荷（仅12.2nC），意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，从而让您的系统运行更凉爽、更节能。无论是用于电源转换中的同步整流，还是作为负载开关、电机驱动，它都能让您的设计更加紧凑高效。选择ZXMC3A17DN8TA，就是选择了一条通往更高性能、更优成本的设计捷径。

• 型号:ZXMC3A17DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A，3.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC3A17DN8TA，Diodes产品一站式供应商。