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DDTB114GC-7-F 零件图片(仅供参考)

DDTB114GC-7-F
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DDTB114GC-7-F 规格参数

还在为设计中的晶体管偏置电路耗费心神吗?DDTB114GC-7-F这颗预偏置PNP晶体管,就是来为您化繁为简的。它将晶体管与精准的偏置电阻集成于微型SOT-23-3封装内,让您无需外部分立电阻,即可轻松实现稳定的放大或开关功能,大幅简化布局,提升电路一致性。

这颗芯片能为您做什么?它凭借50V/500mA的耐压与带载能力,以及高达200MHz的开关速度,让您能高效、可靠地处理信号切换、电平转换或驱动小型负载。其优异的性能参数,如低饱和压降和高电流增益,直接助力您的产品实现更低的功耗和更高的能效。选择它,就是选择了一条让设计更高效、生产更便捷的可靠路径。

  • 型号:DDTB114GC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTB114GC-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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DDTB114GC-7-F 基本参数:

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