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还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗？DDTB123YC-7-F这颗预偏置PNP晶体管，就是为您解放设计空间、简化布局而生的智能解决方案。它将关键的偏置电阻内置，让您轻松告别外部分立电阻，直接实现稳定、高效的信号放大与开关控制。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达500mA的驱动能力和50V的耐压，让您能自信地处理各种中小功率的负载开关与接口驱动任务。其优异的直流电流增益和低饱和压降特性，确保了信号传输的高保真与高效率，同时将功耗降至最低。无论是用于便携设备的电源管理，还是消费电子中的电平转换，它都能让您的系统运行得更流畅、更可靠。

采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，DDTB123YC-7-F让您的生产贴装过程高效且一致。选择它，就是选择了一种更简洁、更可靠、更具成本效益的设计路径，助您轻松应对现代电子设计的挑战。

• 型号:DDTB123YC-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:56 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:200 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• DDTB123YC-7-F，Diodes产品一站式供应商。